IBM e Siemens Colaboram para Avançar Transistores 3D Nanostack

Destaques

• A IBM e a Siemens estão colaborando para avançar a arquitetura de transistores nanostack 3D da IBM, focando em design, simulação, litografia e preparação para fabricação.
• A IBM afirma que o design atual de 7 angstroms utiliza transistores de nanofolhas empilhados verticalmente e escalonados, e pode melhorar a densidade do chip, a eficiência energética, o desempenho e o escalonamento de SRAM.
• As empresas desenvolverão modelos virtuais e refinarão técnicas de design e fabricação para enfrentar desafios de manufatura e preparar as futuras gerações de nanostack para a produção.

COMMUNICADO DE IMPRENSA — Hoje, a IBM (NYSE: IBM), em colaboração com a Siemens, anunciou uma nova pesquisa voltada para o avanço da arquitetura nanostack da IBM, uma nova arquitetura de transistores revelada pela IBM no início deste ano. A colaboração reunirá a liderança da IBM em inovação de dispositivos semicondutores e a expertise da Siemens em automação de design eletrônico (EDA), simulação de processos, otimização de litografia e software de manufatura avançada para acelerar o desenvolvimento do nanostack.

Nanostack é o primeiro design conhecido da indústria baseado em nanofolhas tridimensionais, empilhando verticalmente e escalonando transistores para acomodar mais transistores em um chip, com quase 100 bilhões de transistores em um espaço do tamanho de uma unha em seu nó atual de 7 angstroms. O design também permite o uso de diferentes combinações de materiais dentro de cada camada empilhada para otimizar o desempenho e a eficiência energética de cada transistor independentemente do outro. Essas inovações impulsionam saltos substanciais em eficiência energética, desempenho e escalonamento de SRAM.