IBM y Siemens colaboran para avanzar en transistores 3D Nanostack

Resumen de Insider

• IBM y Siemens están colaborando para avanzar en la arquitectura de transistores 3D nanostack de IBM, centrándose en el diseño, la simulación, la litografía y la preparación para la fabricación.
• IBM afirma que el diseño actual de 7 angstroms utiliza transistores de nanoláminas escalonados y apilados verticalmente y podría mejorar la densidad de los chips, la eficiencia energética, el rendimiento y el escalado de SRAM.
• Las empresas desarrollarán modelos virtuales y perfeccionarán las técnicas de diseño y fabricación para abordar los desafíos de fabricación y preparar las futuras generaciones de nanostack para la producción.

COMUNICADO DE PRENSA — Hoy, IBM (NYSE: IBM), en colaboración con Siemens, anunció una nueva investigación destinada a avanzar en la arquitectura nanostack de IBM, una nueva arquitectura de transistores presentada por IBM a principios de este año. La colaboración reunirá el liderazgo de IBM en la innovación de dispositivos semiconductores y la experiencia de Siemens en automatización de diseño electrónico (EDA), simulación de procesos, optimización de litografía y software de fabricación avanzada para acelerar el desarrollo de nanostack.

Nanostack es el primer diseño tridimensional basado en nanoláminas conocido en la industria, que apila y escalona verticalmente los transistores para empaquetar más transistores en un chip, con casi 100 mil millones de transistores en un espacio del tamaño de una uña en su nodo actual de 7 angstroms. El diseño también permite el uso de diferentes combinaciones de materiales dentro de cada capa apilada para optimizar el rendimiento y la eficiencia energética de cada transistor independientemente del otro. Estas innovaciones impulsan saltos sustanciales en la eficiencia energética, el rendimiento y el escalado de SRAM.