Quy trình Tantalum mới có thể đơn giản hóa việc sản xuất chip lượng tử siêu dẫn

Tóm tắt tóm lược

• Các nhà nghiên cứu Cornell đã phát triển một quá trình phún xạ dựa trên krypton để lắng đọng các màng tantalum siêu dẫn chất lượng cao trên silicon ở 200 độ C, có khả năng giúp vật liệu này dễ dàng tích hợp hơn vào quy trình chế tạo chip lượng tử thương mại.
• Phương pháp này cắt giảm khoảng một nửa nhiệt độ lắng đọng tantalum điển hình trong khi tạo ra các màng mỏng có độ dẫn điện cao hơn đáng kể và các qubit chất lượng cao.
• Các nhà nghiên cứu cho biết quá trình nhiệt độ thấp hơn cung cấp một cửa sổ sản xuất rộng hơn cho việc chế tạo chất bán dẫn và có thể giúp giải quyết các thách thức về vật liệu và chế tạo nano mà điện toán lượng tử siêu dẫn đang đối mặt.
• Ảnh: Một nhóm nghiên cứu do Valla Fatemi, phó giáo sư tại Trường Vật lý Ứng dụng và Kỹ thuật thuộc Duffield Engineering dẫn đầu, đã phát triển một phương pháp sử dụng khí krypton để cắt giảm nhiệt độ lắng đọng của kim loại tantalum chống ăn mòn, tạo ra các màng mỏng có độ dẫn điện cao hơn đáng kể. (Bridget Reinsko/Cung cấp)

THÔNG CÁO BÁO CHÍ — Để thương mại hóa tính toán lượng tử, các nhà sản xuất cần các vật liệu siêu dẫn chất lượng cao cho vi chip, nhưng họ cũng yêu cầu một quy trình chế tạo nano bền vững và đáng tin cậy.