Tóm tắt Nội bộ
Wolfspeed giới thiệu Silicon Carbide cấp độ quang học cho Thực tế tăng cường và Máy tính lượng tử
Thông cáo báo chí của Insider Brief — Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF), công ty dẫn đầu toàn cầu về công nghệ silicon carbide (SiC), hôm nay đã công bố việc ra mắt thương mại công nghệ silicon carbide trong suốt (TSiC™) độc quyền của mình, mở rộng tiềm năng của silicon carbide nhằm hỗ trợ thực tế tăng cường (AR) thế hệ mới, máy tính lượng tử và các ứng dụng quang học tiên tiến. Wolfspeed dựa trên hơn 35 năm […]
Mohib Ur Rehman
Publisher The Quantum Insider
Oct 30, 2026 at 9:55 AM UTC · Updated 3 ngày trước · 2 phút đọc

Key Signal
200 mm Optical-grade substrate size
Last Updated
3 ngày trước
- Wolfspeed đã chính thức giới thiệu công nghệ silicon carbide trong suốt (TSiC) thương mại, nhắm vào các ứng dụng trong thực tế tăng cường, máy tính lượng tử và quang học tiên tiến.
- Các đế cấp độ quang học được thiết kế để có độ hấp thụ quang học thấp và độ phẳng wafer vượt trội, với các đặc tính quang học và nhiệt của silicon carbide khiến nó trở thành vật liệu tiềm năng cho các ống dẫn sóng AR và thiết bị lượng tử.
- Wolfspeed đang thúc đẩy các đế cấp độ quang học 200 mm trong khi phát triển công nghệ TSiC 300 mm cho các ứng dụng tương lai, bao gồm các hệ thống sử dụng silicon carbide để chứa các qubit và truyền thông tin lượng tử thông qua ánh sáng.
THÔNG CÁO BÁO CHÍ — Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF), công ty hàng đầu thế giới về công nghệ silicon carbide (SiC), hôm nay đã công bố việc giới thiệu thương mại công nghệ silicon carbide trong suốt (TSiC™) độc quyền của mình, mở rộng tiềm năng của silicon carbide để hỗ trợ thực tế tăng cường (AR) thế hệ mới, máy tính lượng tử và các ứng dụng quang học tiên tiến.
Wolfspeed dựa trên hơn 35 năm đổi mới silicon carbide, bao gồm các công trình tiên phong trong công nghệ LED và kinh nghiệm sâu rộng trong sản xuất wafer bán cách điện (HPSI) độ tinh khiết cao. Các đế TSiC™ cấp độ quang học của Wolfspeed được thiết kế để có độ hấp thụ quang học đặc biệt thấp và độ phẳng wafer vượt trội. Chiết suất cao, lưỡng chiết thấp, độ cứng và độ dẫn nhiệt của silicon carbide khiến nó trở thành một vật liệu đầy triển vọng cho các ống dẫn sóng AR thế hệ mới, hỗ trợ trường nhìn rộng hơn, chất lượng hình ảnh được cải thiện và các thiết bị đeo nhỏ gọn hơn.
Article Intelligence
Topics
Related Coverage
View all relatedSponsored
AdNewsLayer Premium
Unlock deeper intelligence.
Ad-free reading, exclusive research, and real-time onchain insights.
Go Premium
