特写图像揭示缺陷如何将电子锁定在稳定的维格纳晶体中

由美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）领导的研究团队开发出一种方法，使他们能够以前所未有的细节直接观察电子如何与先进半导体器件中的缺陷相互作用。该团队的方法包括一个创新的模拟工具，能够对其实验观察结果进行准确的理论解释。